當前位置：反應燒結主要特點與過程
一、反應燒結主要特點：
此法與普通燒結法比較，有如下兩個主要特點：
①提高制品質量，燒成的制品不收縮，尺寸不變化；
②反應速度快，傳質和傳熱過程貫穿在燒結全過程。
普通燒結法物質遷移過程發生在坯體顆粒與顆粒的局部，反應燒結法物質遷移過程發生在長距離范圍內。
分為液相反應燒結和氣相反應燒結兩類。采用前一類的居多。
例如，燒結氧氮化硅坯件時添加硅、二氧化硅和氟化鈣(或氧化鈣、氧化鎂等，玻璃相形成劑)同氮反應生成二氮氧化二硅(Si2ON2)，氧化鈣、氧化鎂等同二氧化硅形成玻璃相，氮溶解在焙融體(玻璃相)中；Si2ON2，晶體從被氮飽和的玻璃相中析出。這樣制出的氧氮化硅的密度可相當于理論密度90%以上。
二、反應燒結過程：
反應燒結，集合了合成以及致密化過程，能夠通過高純度粉體以熱力學自發的原位步驟制備致密陶瓷。與常規燒結方法相比，反應燒結過程和反應燒結陶瓷的優點如下：
1）反應燒結能夠在較低溫度（≤1800℃）制備致密的超高溫陶瓷。反應燒結過程中的化學反應高放熱、且熱力學自發進行，能夠在相對較低溫度下，產生足夠能量和驅動力以達到Z終產品的致密化。另外，原位形成的相之間的化學兼容性和分散的均勻性也能夠被保證。熱力學計算表明，在反應燒結過
程中，大部分的反應滿足自持續燃燒的條件（T絕熱≥1800K，ΔH°298/CP298>2000K）。因此，在沒有點火自持續燃燒情況下，低的加熱速率（約1℃/min）
在選定的溫度（600℃）延長保溫時間（360min），會促進原料之間的反應。然而在有限的情況下，燃燒反應有利于致密化并促使Z終產品獲得獨特的微觀結構。
2）反應燒結能夠制備微觀結構呈現各向異性的二硼化物基陶瓷，原位形成的相尺寸小、表面積大，具有很高活性。另外，可形成瞬態液相，促進質量輸運和晶粒的各向異性生長。Z終獲得的各向異性MeB2晶粒呈現棒狀或片狀，因為MeB2陶瓷為簡單六方晶體，棒狀或者是片狀的晶粒生長都有可能：優先沿著c軸生長（棒狀）或者是a和b軸優先生長（片狀）。對于超高溫陶瓷，僅僅有少數報道描述了這種現象。各向異性晶粒生長機制仍處于研究中。雖然如此，這種現象可以為超高溫陶瓷的結構裁剪和性能提高提供參考。
過渡金屬元素或者過渡金屬氫化物，通常用作過渡金屬源，以降低MeO2污染。硼源采用元素B或者是一些含B的化合物，如B4C和BN。另外，MeB2基陶瓷還可能包括其他相，例如，SiC，ZrC和MoSi2，含B化合物也會成為Z終產物的C或N源。使用MeO2作為起始粉還原合成MeB2的方法無法用于反應燒結。一個原因是，大部分還原反應是高吸熱的，在促進致密化的溫度（>1500℃）下，吉布斯自由能變成負值。還原反應也造成明顯的氣體釋放，
尤其是B2O3，干擾致密化。另外，使用MeO2作為起始粉，通常會導致Z終陶瓷中有未參加反應的MeO2或其他的氧化物雜質的殘留。因此，大部分反應燒結過程使用元素或者是非氧化物作為起始原料，這可將氧雜質降至Z低。
三、無錫市錢橋化工機械有限公司所生產的碳化硅換熱器設備均使用無壓燒結碳化硅。
